Высокочастотный и реактивный методы ионного распыления

Для высокочастотного и реактивного ионного распыления используют как обычные диодные, так и магнетронные системы.

Высокочастотное распыление применяется для нанесения диэлектрических пленок. Если распыляемое вещество – металл, то ударяющийся о мишень ион рабочего газа нейтрализуется на ней и возвращается в вакуумный объем рабочей камеры. Если же распыляемый материал – диэлектрик, то положительные ионы не нейтрализуются и за короткий промежуток времени после подачи отрицательного потенциала покрывают слоем мишень, создавая на ее поверхности положительный заряд. Поле этого заряда компенсирует первоначальное поле мишени, находящейся под отрицательным потенциалом, и дальнейшее распыление становится невозможным, так как ионы из разряда не притягиваются к мишени.

Для того,­ чтобы обеспечить распыление диэлектрической мишени, приходится нейтрализовать положительный заряд на ее поверхности подачей высокочастотного (ВЧ) переменного потенциала. При этом в системе распыления, которая представляет собой диодную систему (рис. 17а,б) с катодом (2), окруженным экраном (1) (анодом может служить вакуумная камера), происходят следующие процессы: так как в плазме положительного столба (4) содержатся равные количества ионов и электронов, при переменной поляризации мишени во время отрицательного полупериода (рис. 17а) она притягивает ионы (3).

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector