Ионно-термическое испарение является комбинацией термического испарения и ионного распыления и выполняется следующими методами:
- резистивным или электронно-лучевым испарением вещества с последующей ионизацией его паров в плазме рабочего газа;
- резистивным или электронно-лучевым испарением вещества с последующей ионизацией его паров (например с помощью высокочастотного индуктора);
- высокочастотным термическим испарением вещества с одновременной высокочастотной ионизацией его паров.
Во всех случаях движение ионов испаряемого вещества к подложке и осаждение на ней обусловлены действием электрического поля, создаваемого между испарителем и подложкой.
Достоинствами ионно-термического испарения являются:
- большая скорость процесса, свойственная термическому испарению, в сочетании с высокой энергией конденсирующихся частиц, характерной для ионного распыления;
- однородность и равномерность осаждаемых пленок;
- возможность осаждения пленок сложного состава (карбидов, нитридов, оксидов и др.) с большими скоростями без высокотемпературного нагрева подложек [15].