Фотоэлектрическая проводимость пленки WO3

Спектральное распределение фототока в тонкой аморфной пленке WO₃, показанного на рисунке 10 (a) указывает на то, что энергия порогового фототока (3,73 еВ) наблюдается при частоте значительно выше чем оптическая энергия запрещенной зоны (3,3 еВ). Это может быть интерпретировано тем, что запрещенная зона в аморфном материале подвижна (Mott & Davis 1971). В полностью окисленной кристаллической пленке WO₃, пороговая длина волны для фототока перемещается в более низкоэнергетическую сторону от 2,2 еВ до 1,53 еВ (рис. 11). Расширение порогового фототока в сторону пониженной энергии сравнимо с краем оптического поглощения в том же самом материале. Однако, энергия запрещенной зоны 2,5 еВ, определенная из ранней работы для монокристалла (Swada 1956) согласуется с энергией порогового фототока. Это очевидно из наших изучений по оптическому поглощению в тонких пленках кристаллического WO₃, согласно которым ширина запрещенной зоны наблюдается при 3,2 еВ а не при 2,5 еВ. Фототок с энергиями ниже чем 3,2 еВ может быть связан с примесными уровнями в пределах ширины запрещенной зоны. Структура спектра фототока не соответствует структуре спектра оптического поглощения. Фактически, максимумы в спектре поглощения грубо соответствуют минимумам в спектре фототока.