Фотоэлектрическая проводимость пленки WO3

Спектральное распределение фототока в тонкой аморфной пленке WO3, показанного на рисунке 10 (a) указывает на то, что энергия порогового фототока (3,73 еВ) наблюдается при частоте значительно выше чем оптическая энергия запрещенной зоны (3,3 еВ). Это может быть интерпретировано тем, что запрещенная зона в аморфном материале подвижна (Mott & Davis 1971). В полностью окисленной кристаллической пленке … Читать далее

спектр поглощения кристаллической пленки сильно похож на спектр поглощения аморфной пленки, за исключением сдвига в сторону энергии края поглощения, доказывает, что существенная особенность зонной структуры сохранена в аморфной фазе

В связи с этим Hannay (1963) было предложено, что в WO3 возможными являются три вида перекрывания и вот какие: (1) — перекрытие между dv орбиталями катиона и pσ— аниона, (2) — перекрытие между de орбиталями смежных катионов; (3) перекрытие между de орбиталями катионов и pn орбиталями анионов. В любом случае зона проводимости будет иметь значительную … Читать далее

Оптическое поглощение

Полученные результаты спектров оптического поглощения тонкой аморфной пленки WO3 показывают, что фундаментальной край поглощения может быть разделен на две области. В первой области при K <104 см-1, край поглощения это экспоненциальная функция энергии фотона. Подобные экспоненциальные края, известны как края Урбаха, наблюдаемые у многих аморфных и кристаллических материалов. Происхождение этого экспоненциального хвоста поглощения все еще … Читать далее

Центры окраски в тонкой пленке WO3

Перед предложением определенной модели для центров окраски в тонких пленках WO3, сформированные оптическим облучением и электрическим полем, будет полезно объединить основные экспериментальные результаты. (I) Наиболее эффективное окрашивание наблюдается в крайне неупорядоченной аморфной пленке. Полностью окисленные кристаллические пленки WO3 не показывают никакого окрашивания, за исключением пленок, образованных при высокой температуре под восстановительной средой. (2) Оптическое окрашивание … Читать далее

Кристаллическая структура

Из диффузного характера изображения электронной дифракции пленки WO3 ясно видно, что пленка является аморфной. Точная микроструктура пленки не известна, но измерение плотности указывает на значительное содержание структурных дефектов. Кристаллическая структура WO3 состоит из искаженного ReO, структура которого построена из множества октаэдров WO6 сочлененных один с другим. В этой структуре каждый ион W6+ октаэдрически окружен шестью … Читать далее

Оксид углерода (IV) (или СО)

Оксид углерода (IV) (или СО) Бесцветный газ, без вкуса и запаха, плотность относительно воздуха 0,967, плотность 1,25 г/дм3. Молекулярный вес 28,01. Горюч, температура самовоспламенения в воздухе 610°С. Взрывоопасен, пределы взрываемости: нижний – 12,5 %, верхний – 75 %. Оксид углерода (IV) – отравляющее вещество ядовитого характера. Вытесняет кислород из оксигемоглобина в крови, образуя карбоксигемоглобин, вследствие … Читать далее

Углекислый газ (СО2)

Бесцветный, практически не имеющий запаха газ, плотность 1,97 г/дм3, плотность относительно воздуха 1,53. Молекулярный вес 44,01. Не горюч, не взрывоопасен. Токсичность проявляется в наркотическом действии на организм человека. При большой объемной доле (свыше 30 %) возможен смертельный исход от удушья. Раздражающе действует на кожу и слизистые оболочки дыхательных путей. При отравлении пострадавшего необходимо вынести на … Читать далее

Метан (СН4)

Бесцветный газ, не имеющий запаха, легче воздуха, удельный вес           0,714 г/дм3, плотность относительно воздуха 0,557. Молекулярный вес 16,04. Горюч, температура самовоспламенения 537°С. Взрывоопасен, пределы взрываемости в смеси с воздухом: нижний – 5 %, верхний – 15 %. Физиологически инертен, на человека оказывает удушающее действие из-за недостатка кислорода. Пострадавшего от удушья необходимо удалить из загазованной зоны, … Читать далее

Метод ионно-термического испарения

Ионно-термическое испарение является комбинацией термического испарения и ионного распыления и выполняется следующими методами: резистивным или электронно-лучевым испарением вещества с последующей ионизацией его паров в плазме рабочего газа; резистивным или электронно-лучевым испарением вещества с последующей ионизацией его паров (например с помощью высокочастотного индуктора); высокочастотным термическим испарением вещества с одновременной высокочастотной ионизацией его паров. Во всех случаях … Читать далее

Высокочастотный и реактивный методы ионного распыления

Для высокочастотного и реактивного ионного распыления используют как обычные диодные, так и магнетронные системы. Высокочастотное распыление применяется для нанесения диэлектрических пленок. Если распыляемое вещество – металл, то ударяющийся о мишень ион рабочего газа нейтрализуется на ней и возвращается в вакуумный объем рабочей камеры. Если же распыляемый материал – диэлектрик, то положительные ионы не нейтрализуются и … Читать далее